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Chapter 4: ソフトウェア

Chapter 4

DRAM

DRAM-AB Current Capability

メモリースロットDIMM_A1/A2、DIMM_B1/B2に搭載されているメモリーへ供給する電流の上限値

を設定します。高い値を設定することにより、電力供給量が増加しオーバークロック可能な範囲が広

がりますが、VRMの消費電力は増加します。

DRAM-CD Current Capability

メモリースロットDIMM_C1/C2、DIMM_D1/D2に搭載されているメモリーへ供給する電流の上限値

を設定します。高い値を設定することにより、電力供給量が増加しオーバークロック可能な範囲が広

がりますが、VRMの消費電力は増加します。

DRAM-AB Voltage Frequency

メモリースロットDIMM_A1/A2、DIMM_B1/B2で使われているメモリー用VRMのスイッチング周波

数を設定します。高い値を設定することで応答性が向上します。

DRAM-CD Voltage Frequency

メモリースロットDIMM_C1/C2、DIMM_D1/D2で使われているメモリー用VRMのスイッチング周波

数を設定します。高い値を設定することで応答性が向上します。

DRAM-AB Power Phase Control

メモリースロットDIMM_A1/A2、DIMM_B1/B2で使われているメモリー用VRMのフェーズ制御方法

を設定します。[Extreme]はすべての電圧調整モジュールを稼働することによってシステムパフォー

マンスが向上し、[Optimized]は効率的に電圧調整モジュール数を制御します。

DRAM-CD Power Phase Control

メモリースロットDIMM_C1/C2、DIMM_D1/D2で使われているメモリー用VRMのフェーズ制御方法

を設定します。[Extreme]はすべての電圧調整モジュールを稼働することによってシステムパフォー

マンスが向上し、[Optimized]は効率的に電圧調整モジュール数を制御します。

最後に適用された値に戻す

設定を適用する

• 実際のパフォーマンスは取り付けられたCPUとメモリーによって異なります。

• 本項目の設定を変更する場合は、必ず適切な冷却装置を取り付けた上で行ってください。

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